暗物质湮灭为电子 - 正电子对的多信使约束

我们在暗物质湮灭的背景下研究了银河系中电子和正电子的产生。通过结合不同波长的观测数据（来自 Haslam、WMAP 和 Fermi 全天强度图）以及 PAMELA、Fermi 和 HESS 最近对太阳附近电子和正电子能谱的测量，获得了相关截面的上限。我们考虑了射电和微波波段的同步辐射，以及伽马射线能量下的逆康普顿散射和末态辐射。根据我们的结果，如果暗物质候选者的质量小于几 GeV，则暗物质湮灭为电子 - 正电子对的截面不应高于热遗迹的典型值。此外，假设截面 = $3 \times 10^{-26}$ cm$^3$ s$^{-1}$，我们还推导出了银河系暗物质晕密度剖面内部对数斜率 $\alpha$ 的严格上限（如果 $m_{dm} < 5$ GeV，则 $\alpha < 1$；如果 $m_{dm} < 100$ GeV，则 $\alpha < 1.3$；如果 $m_{dm} < 2$ TeV，则 $\alpha < 1.5$）。无论主导湮灭通道如何，比 $\alpha \approx 1.5$ 更陡的对数斜率很难与轻于约 1 TeV 的热遗迹相容。