通过片上超导微波谐振器探测邻近化Ge/SiGe量子点中的多能级π结

利用片上微波测量，我们研究了锗（Ge）/硅锗（SiGe）异质结构中邻近化量子点（QD）形成的多能级$\pi$结。在多能级体系中，多个QD轨道同时参与超导输运，约瑟夫森基态不再仅由单个轨道的占据决定。通过结合直流输运和微波技术，我们确定了多能级$\pi$结在栅压依赖性和微波响应中的定性特征。特别是，我们观察到在栅压中尖锐或平滑的相变组合，并表现出不同的电感和耗散特征。这种多能级约瑟夫森输运以前主要是在碳纳米管等异常清洁的系统中观察到。我们的结果确立了邻近化Ge作为研究混合超导体/半导体物理的平台，并展示了栅极定义超导量子器件与高质量片上微波谐振器的集成。