使用边界缓冲晶格的无序有机系统中电荷输运的蒙特卡洛模拟
无序系统与神经网络
2018-11-15 v2 材料科学
摘要
本文提出了一种替代方法，通过在边界处使用缓冲晶格来模拟无序有机材料中的电荷输运。该方法无需仔细追踪载流子跨越边界的跳跃模式。通过再现沿场方向对系统全长进行模拟（无边界条件）所获得的无序有机系统中的迁移率场依赖性、载流子弛豫和载流子扩散，验证了该方法的适用性。通过在不使用缓冲晶格的情况下模拟迁移率的场依赖性，强调了缓冲晶格的重要性：由于载流子从沿场方向被忽略的跳跃和边界处获得了额外偏压，这导致了低场区的负迁移率场依赖性(NFDM)。
引用
@article{arxiv.0909.1481,
title = {Monte Carlo simulation of charge transport in disordered organic systems using buffer lattice at boundary},
author = {S. Raj Mohan and Manoranjan P. Singh and M. P. Joshi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.1481},
year = {2018}
}