中文

强激光场中 N$_2$、O$_2$ 和 F$_2$ 电离的分子效应

量子物理 2009-11-10 v2

摘要

本文研究了 N2_2、O2_2 和 F2_2 对波长390nm激光脉冲的时间响应。我们发现 O2_2 中的单电离抑制及 F2_2 中该抑制的缺失,与 λ=800\lambda = 800nm 处的实验结果一致。在含时密度泛函理论框架内,我们能够解释对强场多体 SS-矩阵理论(IMST)预测的偏离。我们确认电离抑制与来自电离电子轨道的出射电子波的相消干涉有关。然而,在 IMST 方法中通过最高占据分子轨道(HOMO)的对称性所论证的电离抑制预测并不可靠,因为例如 F2_2 情形下,对激光脉冲的电子响应相当复杂,并未导致 HOMO 的主导性耗尽。因此,HOMO 的对称性不足以预测电离抑制。不过,至少对 F2_2 而言,主导电离轨道的对称性与电离非抑制相一致。

关键词

引用

@article{arxiv.quant-ph/0411009,
  title  = {Molecular effects in the ionization of N$_2$, O$_2$ and F$_2$ by intense laser fields},
  author = {Daniel Dundas and Jan M. Rost},
  journal= {arXiv preprint arXiv:quant-ph/0411009},
  year   = {2009}
}

备注

19 pages, 5 figures