金刚石表面生长薄非晶氢化碳膜的分子动力学模拟
材料科学
2014-11-27 v2
摘要
利用分子动力学模拟研究了通过 CH2 自由基轰击在金刚石 (111) 表面生长薄非晶氢化碳膜 (a-C:H) 的过程。结构分析表明，a-C:H 的局部结构（例如 C 原子的第一配位数）关键取决于氢含量。入射自由基动能的增加导致氢含量降低，进而改变了 a-C:H 中 sp3 键合 C 原子的比例。
引用
@article{arxiv.1407.3111,
title = {Molecular dynamics simulations of the growth of thin amorphous hydrogenated carbon films on diamond surface},
author = {Chuan-guo Zhang and Yong Yang and Ting Hao and Ming Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.3111},
year = {2014}
}
备注
17 pages, 7 figures, in Chinese