扭转双层和扭转双双层 MoTe₂ 中莫尔调制 Γ 能谷
强关联电子
2025-12-19 v1
摘要
扭转 MoTe₂ 宿主了有趣的关联量子现象，包括在扭转双层（t-BL）MoTe₂ 中约 3.7° 附近出现的量子反常霍尔效应，该效应对手性角和莫尔超晶格敏感。在这里，我们直接可视化了 t-BL 和扭转双双层（t-DBL）在此临界角附近的扭转角调制电子结构。我们发现，莫尔超晶格不仅修改了 t-BL MoTe₂ 中 Γ 和 K 能谷的相对能量，而且强烈重构了 t-BL 和 t-DBL 的 Γ 能谷。具体而言，Γ 处源自 p_z 的深能带表现出随扭转角增大而系统性变化的明显分裂。理论分析表明，这种调制源于扭转角依赖的晶格弛豫，尤其是界面起伏。我们的工作直接可视化了莫尔调制的电子结构，并提供了支撑扭转 MoTe₂ 物理的晶格弛豫和层间相互作用的关键光谱信息。
引用
@article{arxiv.2512.16431,
title = {Moir\'e-modulated $\Gamma$ valley in twisted bilayer and twisted double-bilayer MoTe$_2$},
author = {Wanying Chen and Hongyun Zhang and Jinxi Lu and Yu Gu and Qiyun Xu and Fei Wang and Xuanxi Cai and Jiansong Li and Jiayong Xiao and Rui Chen and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Jose Avila and Pavel Dudin and Matthew D. Watson and Pu Yu and Shengwei Jiang and Wenhui Duan and Tingxin Li and Chong Wang and Shuyun Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.16431},
year = {2025}
}
备注
7 pages, 5 figures