利用两个杂质与T矩阵形式论模拟长不完善SNS结及Andreev束缚态
介观与纳米尺度物理
2020-05-27 v2
摘要
我们提供了一种新的解析工具来计算长不完善SNS结中的Andreev束缚态(ABS)能量，目前这些只能由数值工具描述。我们将NS结建模为一个δ函数“Andreev”杂质，即一个将电子以相反自旋散射为空穴的局域势。我们利用散射矩阵形式论表明，颇为令人惊讶的是，“Andreev”杂质等价于一个由Andreev反射和有限量正常散射共同表征的NS结。随后利用应用于含两个Andreev杂质系统的T矩阵形式论计算ABS能量。我们的结果介于由Andreev近似描述的完美长SNS结极限(ABS能量随相位线性依赖且与化学势无关)与粒子在盒中极限(束缚态能量与相位无关且对化学势呈线性依赖)之间。此外，我们通过围绕粒子在盒中极限展开，重新得到了ABS能量的闭式表达式。
引用
@article{arxiv.1906.10139,
title = {Modeling long imperfect SNS junctions and Andreev bound states using two impurities and the T -matrix formalism},
author = {Sarah Pinon and Vardan Kaladzhyan and Cristina Bena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.10139},
year = {2020}
}