Mn 掺杂诱导 trigonal Cr$_5$Te$_8$ 的反铁磁到铁磁相变

通过与外源过渡金属异层嵌入来调控铬telluride材料的磁性属性仍然鲁见于探索。本文报告了对trigonal Cr$_5$Te$_8$和Cr$_4$MnTe$_8$单晶的全面研究，其中Mn掺杂将磁有序度温度从226 K提升至249 K，并将5 K时的磁化电子浓度($m_{\text{S}}$)从2.00 $\mu_{\text{B}}$增强至2.66 $\mu_{\text{B}}$。令人惊讶的是，观察到的$m_{\text{S}}$增幅显著超过Mn离子磁矩的贡献，这表明原始晶格内部的自旋补偿被缓解。第一性原理计算确定，原生Cr$_5$Te$_8$表现出反铁磁有序度，计算得到的$m_{\text{S}}$为1.98 $\mu_{\text{B}}$，进一步揭示，Mn离子优先占据片层间隙，可诱导从反铁磁到铁磁相变，预测得到的$m_{\text{S}}$为2.94 $\mu_{\text{B}}$。这些发现不仅阐明了trigonal Cr$_5$Te$_8$的磁基态，还识别出异层嵌入作为工程化chromium telluride自旋纹理的可靠策略。