Mn掺杂II-VI量子点：人工分子磁铁
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
人工原子概念依赖于能够逐个改变半导体量子点中载流子的数量，从而导致其电子结构的变化。具有净磁矩并显示滞回行为的有机分子中包含过渡金属原子，称为单分子磁铁（SMM）。CdTe量子点经化学掺杂Mn原子，且载流子数量可通过电气或光学方式控制，为纳米磁性学中的新概念铺平了道路：人工单分子磁铁。本文研究了不同电荷态下掺Mn CdTe量子点的磁性属性，并探讨了它们在多大程度上表现出类似单分子磁铁的行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702139,
title = {Mn-doped II-VI quantum dots: artificial molecular magnets},
author = {J. Fernandez-Rossier and Ramon Aguado},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702139},
year = {2007}
}
备注
Conference article presented at QD2006, Chamonix, May 2006