掺杂Mott绝缘体中的电输运:非Ioffe-Larkin组合规则与自旋子
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2024-10-07 v2 人工智能
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摘要
我们在掺杂Mott绝缘体的约束希尔伯特空间中研究了其电输运性质。由于底层互斥的Chern-Simons拓扑规范结构,该空间遵循非Ioffe-Larkin组合规则。在低温赝能隙相中,空穴(holon)凝聚而自旋子(spinon)增殖,电荷输运由手性自旋子激发主导,该激发包含一个位于超流涡旋核心的自旋-1/2玻色子。这导致在超导相中,由于自旋子的“禁闭”效应,电阻率消失;而一旦自旋子的禁闭被外部磁场破坏,电阻率在低温下则发散。在后一种情况下,手性自旋子将产生霍尔数n_H等于掺杂浓度δ,并伴随能斯特效应,这表明电荷和自旋自由度之间存在潜在的长程纠缠。它们的出现还反映在比热和自旋磁化率等热力学量中。最后,在高温无序相中,自旋子表现为局域磁矩,作为电荷自由度感受到的随机规范通量,导致空子(holon)通过散射产生线性温度依赖的电阻率。
关键词
引用
@article{arxiv.2406.15468,
title = {MMLU-SR: A Benchmark for Stress-Testing Reasoning Capability of Large Language Models},
author = {Wentian Wang and Sarthak Jain and Paul Kantor and Jacob Feldman and Lazaros Gallos and Hao Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.15468},
year = {2024}
}