基于 Mie 共挆硅波导的 InSe 中外向激子发射器耦合效率提升
光学
2025-01-30 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
实验研究了 Indium Selenide (InSe) 薄膜中垂直激子发射器与由硅 (Si) Mie 共挆纳米盘形成的集成波导之间的辐射耦合效率。在 950~nm 处，共挆波导输出处的光致发光功率比相同几何参数下的常规腔波导提高约 2.5 倍，归因于对单个纳米颗粒中磁偶极子共挆模式的有效激发。这些结果显示了在 various 集成光子学应用中创建新型芯片光源的鼎舞前景。
引用
@article{arxiv.2501.17673,
title = {Mie-resonant silicon waveguide for efficient coupling with excitonic emitters in InSe},
author = {Timofey V. Antipov and Alexandra D. Gartman and Dmitry N. Gulkin and Lyubov Kotova and Aidar Galimov and Bogdan Borodin and Ilya Eliseyev and Alexander S. Shorokhov and Maxim Rakhlin and Andrey A. Fedyanin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.17673},
year = {2025}
}