SIGRID 星系样本中的贫金属矮星系。II. 电子温度 - 丰度校准及其影响参数

在本文中，我们使用 Mappings 光致电离代码来探索影响 HII 区电子温度和丰度测量的物理参数。在上一篇文章中，我们展示了来自 SIGRID 样本中十四个孤立的不规则矮星系内十七个 HII 区光谱的物理性质观测和测量结果。在此，我们进一步分析这些观测结果，并结合另外三个已发布的数据集。我们探讨了光学厚度、电子密度、电离参数、电离源和非平衡效应对电子温度与金属丰度之间关系的影响。我们提出了一个标准模型，该模型在 1/10 到 1 倍太阳金属丰度之间与观测数据拟合得非常好。我们研究了光学薄 HII 区的影响，表明它们会对测量的电子温度产生相当大的影响，并且有证据表明一些观测对象是光学薄的。我们考察了电离参数的作用，发现较低的电离参数值在较高的氧丰度下能提供更好的拟合。我们表明，较高的压力结合较低的光学深度，以及低 $\kappa$ 值下的 $\kappa$ 电子能量分布，可以在低金属丰度 HII 区产生 apparent 高电子温度，且前者与观测结果的拟合更好。我们检查了这些参数对强线诊断方法的影响。我们将此扩展到三维诊断网格，以确认观测结果与网格的吻合程度。