二元 Ru 磷族化物 RuPn (Pn = P, As 和 Sb) 中 Rh 掺杂诱导的金属-绝缘体转变与超导电性
超导电性
2012-04-20 v1 材料科学
强关联电子
摘要
具有正交 MnP 结构的二元钌磷族化物 RuP 和 RuAs，被发现在 TMI = 270 K 和 200 K 处分别表现出金属到非磁性绝缘体的转变。在高于 TMI 的金属区域，分别在 Ts = 330 K 和 280 K 处识别出一个结构相变，伴随着电阻率和磁化率的微弱异常，表明赝能隙的形成。这两个转变通过用 Rh 替代 Ru 而受到抑制。我们在赝能隙相的临界点附近，即 Ru1-xRhxP 的 Rh 含量 xc = 0.45 和 Ru1-xRhxAs 的 xc = 0.25 处，在狭窄的成分范围内发现了超导电性，最高 Tc 分别为 3.7 K 和 1.8 K，这可能为我们提供一条在量子临界点实现超导电性的新型非磁性途径。
引用
@article{arxiv.1112.0604,
title = {Metal-insulator transition and superconductivity induced by Rh doping in binary Ru Pnictides RuPn (Pn = P, As and Sb)},
author = {D. Hirai and T. Takayama and D. Hashizume and H. Takagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.0604},
year = {2012}
}
备注
6 pages, 4 figures, Submitted to Phys. Rev. Lett