电子束光刻点扩散函数的测量、仿真与模型

当样品使用电子束光刻进行曝光时，电子在衬底中深层且广泛散射，导致在纳米尺度和微米尺度上发生意外的剂量沉积。这种近距离效应可通过提供准确且经验证的电子散射点扩散函数模型来进行近距离效应校正。迄今为止大多数研究考虑的是电子点扩散函数的双高斯模型，该模型对于现代电子束写入器（具有高加速电压）而言非常不准确。我们Present了针对在硅和铟磷化物衬底上使用 150 kV 电子束光刻系统进行的半可放大性阻ic 制剂的过程点扩散函数的测量。我们发现，双高斯模型与实验相差最高可达四个数量级。我们提出了一种由幂律项和高斯项组成的模型，该模型与通过蒙特卡罗方法获得的电子散射仿真结果优良地一致。我们将该幂律加高斯模型用于量化不同材料堆叠、加工条件和电压（从 5 kV 到 150 kV）下的电子散射和近距离效应校正参数。我们发现，幂律项保持异常恒定，而长程剂量贡献和清除剂量显著受到衬底和加速电压的影响。