低自旋轨道 SNS 半导体结中的 McMillan-Rowell 振荡
介观与纳米尺度物理
2013-05-23 v1
摘要
研究了由 InN 纳米线（N）和超导转变温度 T_c ~ 0.92 K 的 Al 接触（S）形成的 SNS 结的电子输运性质。作为直流偏压的函数，在 E=2\Delta 处观察到了超导准粒子输运共振峰，这与 BCS 理论一致，其中 2\Delta(T=0) \equiv \Delta_0=275\mueV。在高于 2\Delta 的高偏压下，观察到了几个额外的线性缩放能量的输运共振，最高达 E\simeq 15\Delta_0，这与 McMillan-Rowell 振荡一致。研究了高偏压下及施加磁场时 McMillan-Rowell 振荡的持续性。
引用
@article{arxiv.1305.5140,
title = {McMillan-Rowell Oscillations in a Low Spin-Orbit SNS Semiconducting Junction},
author = {Binxin Wu and Chenxu Shao and Sherry Chu and B. Schmidt and M. Savard and Songrui Zhao and Zetian Mi and T. Szkopek and G. Gervais},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.5140},
year = {2013}
}