环绕低质量黑洞的吸积盘中的物质抛射：全广义相对论下的黏性中微子辐射流体动力学模拟

我们在全广义相对论下，对环绕自旋黑洞（低质量 $3M_\odot$、无量纲自旋 0.8 或 0.6）的吸积盘进行了新的黏性中微子辐射流体动力学模拟，旨在建模大质量双中子星或低质量黑洞-中子星双星并合遗迹的演化。我们重申了其他课题组先前研究发现的如下结果：对于作为并合遗迹的合理盘剖面，系统抛射出 15-30% 的盘质量，平均速度为光速的约 5-10%。此外，我们发现，对于非极高黏性系数情形，抛射物的中子富度不会变得非常高，因为在物质抛射开始前，弱相互作用过程在盘的黏性膨胀期间提高了电子分数，从而抑制了镧系元素合成。对于大质量盘，黏性膨胀时标因较长期的的中微子发射而延长，因此抛射物的电子分数变得更高。我们还确认电子分数的质量分布强烈依赖于所给黏性系数的大小。这表明，要厘清此类黑洞-盘系统的核合成与电磁信号，需要进行具备充足网格分辨率和足够长时标（长于秒）的基于第一性原理的磁流体动力学模拟。