磁性非弹性电子隧穿光谱中的多体效应

磁性非弹性电子隧穿光谱（IETS）在打开与磁结构变化相关的新电导通道时，显示出电导的急剧增加。通常，吸附物所携带的磁矩可以通过与隧穿电子的碰撞而改变；在此过程中，电子的自旋可能翻转或不翻转。先前的单电子理论 [Phys. Rev. Lett. 103, 176601 (2009)] 成功地解释了电导阈值和电导变化的大小。传导电子被磁性杂质弹性自旋翻转导致了著名的近藤效应。在本工作中，我们比较了使用单电子方法和包含近藤类现象的多体理论获得的磁性非弹性隧穿的理论预测。我们将理论应用于一个单重态-三重态跃迁模型系统，该系统包含了磁性 IETS 中揭示的大部分特征。我们使用了两种自洽处理方法（非交叉近似和自洽阶梯近似）。我们表明，虽然单电子极限被正确恢复，但出现了新的内在多体特征。特别是，在非弹性阈值附近出现了尖锐的峰；这些峰并非精确位于阈值处，可能影响从 IETS 实验确定磁结构。对随温度演化的分析表明，这些多体特征涉及的能量尺度不同于通常的近藤峰。事实上，多体特征在远高于系统近藤能量尺度给出的温度下仍然存在。