高阶拓扑绝缘体中的马约拉纳 Kramers 对
介观与纳米尺度物理
2018-11-08 v3
摘要
我们提出一种无需调控的方案，在最近发现的高阶拓扑绝缘体（HOTIs）中实现马约拉纳束缚态的 Kramers 对。我们表明，通过将 HOTI 的两条棱靠近 s 波超导体，当交叉 Andreev 配对强于局域 Andreev 配对时，两者竞争导致马约拉纳 Kramers 对的形成。我们证明这种拓扑超导性由中等强度的电子-电子相互作用稳定。所提出的装置避免了磁场或局域电压栅极的应用，且相较于非螺旋纳米线需要更弱相互作用。
引用
@article{arxiv.1805.12146,
title = {Majorana Kramers pairs in higher-order topological insulators},
author = {Chen-Hsuan Hsu and Peter Stano and Jelena Klinovaja and Daniel Loss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.12146},
year = {2018}
}
备注
15 pages, 8 figures; accepted for publication in Phys. Rev. Lett