金属-2D 半导体界面接触电阻的突破：原子级干净的 MoS2/Au 导电性接触
计算与语言
2026-05-27 v1
摘要
二维半导体（如单层 MoS2）的应用受限于金属接触处常见的高接触电阻，这被归因于金属接触处的界面势垒。此外，电导随 MoS2 厚度的依赖关系仍未确定，因为文献中既报道了随层数增加而增大，也报道了随层数增加而减小的趋势。通过展示在超高真空（UHV）和常温条件下，对单层和多层 exfoliated MoS2 的电流-voltage 特性，我们实验性地证明了，与文献中普遍观点相反，固有的 MoS2/Au 界面具有良好的导电性且呈欧姆行为。我们的结果表明，界面污染是目前报道的高接触电阻的主要原因，并且影响电导随厚度的变化，从而解释了在文献中观察到的差异。我们通过电导输运仿真对这些发现进行了解释。最后，我们表明，在轻度污染的接触处进行局部力学压制可恢复纯净的欧姆接触，为纳米尺度图案化提供了途径。
引用
@article{arxiv.2605.27186,
title = {MAIGO: Mitigating Lost-in-Conversation with History-Cleaned On-Policy Self-Distillation},
author = {Haoyu Zheng and Yun Zhu and Shu Yuan and Shangming Chen and Qing Wang and Wenqiao Zhang and Jun Xiao and Yueting Zhuang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.27186},
year = {2026}
}