相分离 La$_{0.5}$Ca$_{0.5}$MnO$_{3}$ 中的磁阻存储器
材料科学
2009-11-10 v1 强关联电子
摘要
我们研究了混合价化合物 LaCaMnO 受磁场 (H) 诱导的非易失存储效应。在之前的工作中 [R.S. Freitas 等, Phys. Rev. B 65 (2002) 104403] 已证明该系统在施加 H 后的响应强烈依赖于温度范围，这与低于 220 K 时出现的三个明确区分的相分离 regime 有关。在本工作中我们比较了两种不同方法施加 H 对该化合物存储能力影响的结果，即零场冷却和场冷却样品。这些结果在相分离情景下进行分析和讨论。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412499,
title = {Magnetoresistive memory in phase separated La$_{0.5}$Ca$_{0.5}$MnO$_{3}$},
author = {J. Sacanell and F. Parisi and P. Levy and L. Ghivelder},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412499},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures