磁晶复合拓扑缺陷与半 Hopfion
介观与纳米尺度物理
2023-12-29 v1
摘要
我们考虑手性磁晶体（如 FeGe 和 MnSi）中的一类新型拓扑缺陷。这些是当磁序中的斯格明子与底层晶格中的孪晶界相交时产生的复合拓扑缺陷。我们表明，由此产生的稳定构型是一种新型缺陷，可视为半 Hopfion。
引用
@article{arxiv.2312.17083,
title = {Magneto-Crystalline Composite Topological Defects and Half-Hopfions},
author = {Sahal Kaushik and Filipp N. Rybakov and Egor Babaev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.17083},
year = {2023}
}