BCS 超导体间收缩区中由自旋依赖隧穿产生的磁化

研究表明，在两个块体超导体之间施加电压偏置的微收缩区中的自旋依赖电子隧穿，会在收缩区附近产生静态磁化以及类交流约瑟夫森自旋电流。尽管即使在无偏置情况下自旋依赖隧穿也会产生量子自旋涨落，但产生磁化所必需的自旋三重态库珀对的形成会被不同准电子与准空穴隧穿通道之间的相消干涉所阻断，除非电子与空穴的隧穿态密度之间存在不对称性。通过偏置器件来打破电子-空穴隧穿态密度的对称性并造成电子-空穴隧穿不平衡，会破坏相消干涉并促成三重态库珀对的形成。其结果使得超导体磁化成为可能。电压在解除阻碍自旋三重态库珀对形成的阻断中的作用，是无耗散电控自旋电子学现象的一个例证。