c轴方向强磁场下CeRu2Al10的磁化强度与磁电阻
强关联电子
2015-05-20 v1
摘要
我们研究了CeRu2Al10在沿c轴方向施加高达约55 T的外磁场H下的磁化强度与磁电阻。低温下的磁化强度M在H约4 T处出现一个小异常后，表现出H线性增长，其M/H斜率小于H // a轴方向直至约55 T的情况，这表明对于H // c轴，顺磁相的临界场H_c^p高于55 T。在反铁磁(AFM)转变温度T0以下，H // a轴和c轴的磁化曲线表现为AFM有序相中的磁各向异性较小，尽管顺磁相中存在较大的磁各向异性，且易磁化轴沿a轴方向。另一方面，Khalyavin等人最近报道，在T0以下发生磁矩平行于c轴的AFM有序。这些结果表明该化合物中的AFM有序并非简单的类型。低温下H // c轴的纵向磁电阻未显示源于相变的异常，但在4.2 K以下出现振荡。这种4.2 K以下的振荡行为源于Shubnikov-de Haas振荡，由此估算出垂直于c轴的费米面横截面积为1.0*10^14 cm^{-2}，且无大的有效质量。这是T0以下存在费米面的首个直接证据。
引用
@article{arxiv.1011.4578,
title = {Magnetization and Magnetoresistance of CeRu2Al10 under High Magnetic Fields along c-Axis},
author = {Akihiro Kondo and Junfeng Wang and Koichi Kindo and Tomoaki Takesaka and Yuta Ogane and Yukihiro Kawamura and Takashi Nishioka and Daiki Tanaka and Hiroshi Tanida and Masafumi Sera},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.4578},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 2 figures, to appear in JPSJ 80 (2011) No.1