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块体与薄膜 FeVO$_4$ 的磁结构与磁电耦合

材料科学 2015-05-19 v1

摘要

我们研究了 FeVO4_4 的磁电与磁介电响应,该材料在 TN2T_{N2}\approx15 K 处表现出与铁电序一致的磁结构变化。利用对称性考虑,我们构建了该系统中可能的磁电耦合模型,并讨论了 FeVO4_4 中允许的自旋结构。基于自发极化由三线性自旋-声子相互作用引起的模型,我们通过测量多铁相变温度的电场诱导偏移,实验探究了 FeVO4_4 薄膜中的磁电耦合,结果显示在 4 MV/m 的外加电场下相变温度增加了 0.25 K。\fvo\, 中强烈的自旋-电荷耦合也反映在显著的磁介电偏移中,该偏移由于四阶自旋-声子相互作用而存在于顺磁相中,并随着磁有序的出现而表现出显著增强,我们将其归因于三线性自旋-声子相互作用。我们在较低温度下观察到了清晰的磁场诱导介电异常,这与多铁相变相关的尖锐峰不同,我们初步将其归因于自旋重取向交叉。我们还给出了 FeVO4_4 的磁电相图。

关键词

引用

@article{arxiv.1005.4340,
  title  = {Magnetic structure and magnetoelectric coupling in bulk and thin film FeVO$_4$},
  author = {A. Dixit and G. Lawes and A. B. Harris},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1005.4340},
  year   = {2015}
}

备注

5 figures