InSb 中依赖于磁场的碰撞电离
材料科学
2012-06-07 v1
摘要
研究了磁场影响下 InSb 板中由碰撞电离及其后续复合引起的载流子产生。提出了阈值电场作为磁场函数的一个简单解析表达式。碰撞电离受到磁场的抑制。然而，表面复合依赖于磁场的极性：在一个方向上增强，在相反方向上抑制。前者导致阈值电场二次增加，后者则使其对磁场产生额外的线性依赖。基于本研究，可以设计由磁场驱动的电开关器件。
引用
@article{arxiv.1206.1094,
title = {Magnetic field dependent impact ionization in InSb},
author = {Jinki Hong and Taeyueb Kim and Sungjung Joo and Jin Dong Song and Suk Hee Han and Kyung-Ho Shin and Joonyeon Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.1094},
year = {2012}
}