外延 Ni-Mn-Ga 薄膜的磁畴结构
材料科学
2019-12-23 v1
摘要
对于磁性形状记忆效应，理解马氏体畴结构与磁畴结构之间的相互作用至关重要。在 Ni-Mn-Ga 块体材料和箔材中，已知调制马氏体具有包含 90° 和 180° 畴壁的阶梯状磁畴结构。本文表明，薄外延膜的磁畴图案与此有根本不同。我们利用原子力显微镜和磁力显微镜分析外延 Ni-Mn-Ga 薄膜，以研究孪晶马氏体变体与磁条带畴之间的关联。观察到的带状畴具有部分垂直的面外磁化，其走向垂直于由孪晶变体定义的微结构畴。这些特征可由有限的薄膜厚度解释，这导致平衡孪晶周期远小于磁畴周期，从而无法形成阶梯状畴图案。取而代之的是，磁微结构和马氏体微结构的能量通过使两种图案相互垂直排列而各自独立最小化。通过分析一系列不同厚度的样品，我们能够证明所观测到的磁畴图案可由经调整的 Kittel 带状畴模型定量描述。
引用
@article{arxiv.1203.3840,
title = {Magnetic domain structure of epitaxial Ni-Mn-Ga films},
author = {Anett Diestel and Anja Backen and Volker Neu and Ludwig Schultz and Sebastian Fähler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.3840},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 4 figures