光晶格中双碱金属分子多个转动态的魔幻条件

我们研究了超冷双碱金属分子在从 X$^1\Sigma^+$ 势的振动基态到 b$^3\Pi_0$ 势的低-lying 转振动态弱光学跃迁附近的魔幻波长囚禁，讨论集中于磁场 $B=181\,$G 下的 $^{87}$Rb$^{133}$Cs 分子。我们表明，在动态极化率中两个最近邻振动极点之间存在一个频率窗口，其中囚禁势对多个转动态同时是“近魔幻”的。我们表明，施加一个适度的直流电场 $E=0.13\,\text{kV}/\text{cm}$ 可在距 X$^1\Sigma^+ (v=0, J=0)\rightarrow$ b$^3\Pi_0 (v'=0, J=1)$ 跃迁角频率失谐 $\Delta_{v'=0} = 2\pi\times 218.22$\,GHz 处，对最低三个转动态实现精确的魔幻波长囚禁。我们导出了一组必须被满足以确保此类魔幻频率窗口存在的解析判据，并给出了用一组可实验测量参数表示的频率窗口位置的解析表达式。这些结果应为未来需要在超冷极性分子多个转动跃迁上实现长相干时间的实验提供指导。