自旋能隙化合物 BaCuSi$_2$O$_6$ 中的低温结构相变与非公度晶格调制
强关联电子
2009-11-11 v1
摘要
本文给出了自旋能隙化合物 BaCuSiO 单晶在 16 至 300 K 温度范围内的高分辨 X 射线衍射实验结果。数据清楚地表明，在 100 K 以下发生了从室温四方相到非公度调制正交结构的转变。该晶格调制的特征是受分辨率限制的波矢 {\bf q}=(0,0.13,0) 及其二次和三次谐波。该相变是一级的，并表现出显著的滞回。这一观测结果表明，代表该系统的自旋 Hamilton 量比原先认为的更为复杂。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512560,
title = {Low temperature structural phase transition and incommensurate lattice modulation in the spin gap compound BaCuSi2O6},
author = {E. C. Samulon and Z. Islam and S. E. Sebastian and P. B. Brooks and M. K. McCourt and J. Ilavsky and I. R. Fisher},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512560},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures