CFETR基线情景中的低-n全局理想MHD不稳定性
等离子体物理
2020-08-26 v1
摘要
本文报道了针对中国聚变工程试验堆（CFETR）基线情景在不同第一壁位置下的线性理想磁流体力学（MHD）稳定性评估。分析中采用了初值代码NIMROD和本征值代码AEGIS。对于完美导电第一壁的不同位置，两代码在理想MHD模增长率上取得良好一致。高-n模以气球模为主并局域在台基区，而低-n模具有更显著的外部扭曲分量及更宽的模结构。利用NIMROD还考察了等离子体-真空剖面及壁形状的影响。在存在电阻壁的情况下，利用AEGIS进一步研究了低-n理想MHD不稳定性。对于设计的第一壁位置，发现电阻壁模（RWM）不稳定，可通过高于2.9\%芯部Alfvén速度的统一环向旋转完全稳定。
引用
@article{arxiv.1911.11615,
title = {Low-$n$ global ideal MHD instabilities in CFETR baseline scenario},
author = {Rui Han and Ping Zhu and Debabrata Banerjee and Shikui Cheng and Xingting Yan and Linjin Zheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.11615},
year = {2020}
}
备注
20 pages, 12 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1711.09043