仙后座A中的低频射电吸收

仙后座A是研究最充分的超新星遗迹之一。其激波抛射物在射电和X射线中明亮发射。其未激波抛射物可通过红外发射、$^{44}$Ti的放射性衰变以及由于壳层内部冷气体的低频自由—自由吸收来研究。自由—自由吸收受吸收气体中的质量、几何、温度和电离条件影响。最低射电频率的观测约束了这些性质的组合。我们使用30-77 MHz的LOFAR LBA观测和L波段VLA观测，比较分辨率为17"的$u-v$匹配图像。我们逐像素同时拟合发射测度和来自壳层未吸收前部与吸收后部的发射之比。我们探索低温和高度成团对推导出的物理性质（如质量和密度）的影响。我们还汇编已发表的射电流量测量值，拟合射电波段中发生的吸收过程，并考虑它们如何影响源的长期衰减。我们发现，在假设气体温度$T=100$ K时，未激波抛射物中的质量为$M = 2.95 \pm {0.48} \,M_{\odot}$。该估计在更冷气体温度且抛射物成团时减小。我们测得反向激波半径为114" $\pm$6"。我们还发现，未激波抛射物中质量的减少（随着越来越多物质遇到反向激波并加热）不能解释观测到的长期衰减率的低频行为。为使我们的低频吸收测量与预测未激波抛射物中质量很少的模型相协调，我们需要抛射物非常成团，或冷气体中的温度很低（$\sim10$ K）。这两种条件可共同导致高吸收。