具有非中和段的低能束流传输线中的低发射度增长
加速器物理
2017-04-20 v1
摘要
在低能束流传输线(LEBT)中，由束流自身空间电荷引起的发射度增长通常通过来自背景气体电离的电子或离子的中和来抑制。在束流被斩波的情况下，中和模式在脉冲起始阶段不断变化，导致Twiss参数与其稳态值显著不同，进而可能造成下游束流损失。对于适中的束流导流系数，存在一种替代方案，即令束流在包含斩波器的LEBT部分保持非中和状态。如果向非中和段的过渡发生在束流呈现低横向尾部的位置，发射度几乎可以得以保持。本报告讨论了在费米实验室PXIE装置上该方案的实验实现，其中展示了低束流发射度稀释。
引用
@article{arxiv.1704.05523,
title = {Low Emittance Growth In a LEBT With Un-Neutralized Section},
author = {L. Prost and J. -P. Carneiro and A. Shemyakin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.05523},
year = {2017}
}
备注
3 pp