半导体莫尔异质结构中的长寿命拓扑平带激子：玻色型 Kane-Mele 模型平台
介观与纳米尺度物理
2024-10-02 v3
摘要
基于二维过渡金属硫族化合物 (TMD) 的莫尔超晶格已成为探索关联拓扑电子相的高度通用且富有成果的平台。其中最显著的例子之一是最近在零磁场下发现的分数量子反常霍尔效应 (FQAHE)。在此，我们提出了一种最小结构，该结构容纳长寿命激子——TMD 半导体中普遍存在的玻色型激发——并具有窄拓扑玻色能带。非平凡的激子拓扑源于莫尔层间激子的杂化，并可通过控制扭转角和电场进行调节。在小扭转角下，最低激子能带与更高能带隔离，提供了具有拓扑平带的玻色型 Kane-Mele 模型的固态实现，这可能支持 FQAHE 的玻色版本。
引用
@article{arxiv.2403.00052,
title = {Long-lived Topological Flatband Excitons in Semiconductor Moir\'e Heterostructures: a Bosonic Kane-Mele Model Platform},
author = {Ming Xie and Mohammad Hafezi and Sankar Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.00052},
year = {2024}
}
备注
Published version