超导量子比特缺陷浴中的长寿命记忆效应
量子物理
2026-08-10 v1
摘要
我们通过对与超导 transmon 量子比特耦合的二能级系统 (TLS) 缺陷进行电场调控，揭示了超导 transmon 量子比特缺陷浴中的长寿命记忆效应。利用一种快速 TLS 映射方法，我们观察到 TLS 环境中的多种滞后效应，其记忆时间尺度达到秒量级，远超单个 TLS 缺陷的寿命。这些观测结果可以通过 TLS 与缺陷浴中被电场极化的电荷涨落子的耦合来解释。我们的方法能够详细映射缺陷浴中耦合的微观自由度的动力学及其相关的记忆效应，这些效应可能引入时间相关噪声。这些信息可用于改进量子比特稳定化和量子纠错协议。
引用
@article{arxiv.2608.10087,
title = {Long-lived memory effects in the defect bath of superconducting qubits},
author = {Abhishek Agarwal and Masum Uddin and Shroya Vaidya and Lachlan P. Lindoy and Ehsaneh Daghigh Ahmadi and Tobias Lindström and Sebastian E. de Graaf and Ivan Rungger},
journal= {arXiv preprint arXiv:2608.10087},
year = {2026}
}