CexLa1-xRhIn5 中局域 f 电子: dHvA 测量
强关联电子
2009-11-07 v1 超导电性
摘要
对 CexLa1-xRhIn5 中 de Haas-van Alphen 效应的测量表明，Ce 4f 电子在所有 x 值下保持局域化，质量增强和逐渐丢失一个自旋的结果来自自旋涨落效应。这一行为可能是抗磁性重量费米子化合物的典型，尽管 4f 电子在 CeRhIn5 中的局域化是由自旋密度波不稳定性在部分驱动的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106522,
title = {Localized f electrons in CexLa1-xRhIn5: dHvA Measurements},
author = {U. Alver and R. G. Goodrich and N. Harrison and Donavan Hall and E. C. Palm and T. P. Murphy and S. W. Tozer and P. G. Pagliuso and N. O. Moreno and J. L. Sarrao and Z. Fisk},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106522},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted to PRB