宿主介质局域场对 Ce$^{3+}$ 辐射寿命的影响

对于嵌入不同折射率介质中的发光体，不同理论模型预测的自发辐射寿命对折射率的依赖关系有显著差异。已有断言称，对 Eu$^{3+}$ 在可变折射率宿主中 $4f\to 4f$ 辐射跃迁的若干测量似乎支持实腔模型 [J. Fluoresc. 13, 201 (2003) 及其中文献，Phys. Rev. Lett. 91, 203903 (2003)]。我们注意到，稀土离子的 $5d\to 4f$ 辐射跃迁以允许的电偶极跃迁为主，其线强度受配体扰动较小，可作为检验不同模型的更好基准。我们分析了 Ce$^{3+}$ 在折射率从 1.4 到 2.2 的宿主中 $5d\to 4f$ 跃迁的寿命。结果支持基于洛伦兹局域场的宏观虚腔模型 [J. Fluoresc. 13, 201 (2003)]。