铋中的局域与全局超导性
超导电性
2015-05-30 v1
摘要
我们对粉末（晶粒尺寸约 149 微米）以及由垂直于三方 c 轴平面内尺寸约 1x1 mm2 的单晶块体组成的高度取向三方 (A7) 铋 样品进行了磁化强度 M(H,T) 和磁阻 R(T,H) 测量。所得结果揭示了：(1) 粉末样品中出现 Tc(0) = 8.75 \pm 0.05 K 的局域超导性；(2) 在多晶 Bi 中，通过与银 正常金属的低电阻欧姆接触触发了 Tc(0) = 7.3 \pm 0.1 K 的全局超导性。结果表明，Bi 中的超导性局限于极小的体积分数内，可能位于晶间或 Ag/Bi 界面处。另一方面，在多晶 Bi 中观察到的全局超导性可由正常金属接触诱导的超导序参量相位刚度增强来解释，该机制是在铜氧化物“赝能隙区”的背景下提出的 [E. Berg et al., PRB 78, 094509 (2008)]。
引用
@article{arxiv.1109.3134,
title = {Local and Global Superconductivity in Bismuth},
author = {Luis A. Baring and Robson R. da Silva and Yakov Kopelevich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.3134},
year = {2015}
}
备注
12 pages including 9 figures and 1 table, Special Issue to the 80th birthday anniversary of V. G. Peschansky, Electronic Properties of Conducting Systems