将电子结构计算与多组分合金中的广义层错能相关联
材料科学
2020-01-22 v1
摘要
广义层错能是位错介观模型的关键要素。本文发展了一种量化多组分合金中广义层错能对化学无序程度依赖关系的方法。我们引入“构型分辨平面缺陷”（configurationally-resolved planar fault, CRPF）能的概念，并将合金理论中的团簇展开方法推广，以将 CRPF 表示为缺陷周围位点化学占据变量的函数。我们应用该方法探究二元 Mo-Nb 合金中非稳定层错能（unstable stacking fault energy, USF）对成分和温度的依赖关系。使用第一性原理计算来参数化形成能与 CRPF 团簇展开。蒙特卡洛模拟表明，USF 能的分布受化学成分和温度的显著影响。该形式体系可应用于任意多组分合金，并将有助于建立高熵合金变形机制的严格模型。
引用
@article{arxiv.2001.06912,
title = {Linking electronic structure calculations to generalized stacking fault energies in multicomponent alloys},
author = {Anirudh Raju Natarajan and Anton Van der Ven},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.06912},
year = {2020}
}