轻暗物质、轻希格斯与电弱相变

我们提出了标准模型的一个最小扩展，引入两个实单态场，它们可以提供良好的轻暗物质候选者，并产生强一阶电弱相变。结果是存在两个 CP 偶标量；其中一个质量小于约 70 GeV，另一个质量在 280-400 GeV 范围内；且与电弱精度测试一致。我们表明，轻标量质量可小至 25 GeV，同时仍与 LEP 数据一致。预测的暗物质散射截面足够大，以容纳 CoGeNT 结果，并可被未来的 XENON 实验探测。我们还表明，对于质量约为 2 GeV 的暗物质，过程 ($B^+\rightarrowK^++2(\text{DM})$) 的分支比在 SuperB 工厂中是可观测的。