利用介电常数逼近零现象实现芯上光子调制
光学
2026-03-04 v2
摘要
介电常数逼近零 (ENZ) 系统在其零介电常数范围附近表现出非传统的电磁响应。本文探讨了超薄 ENZ 薄膜通过主动控制 ENZ 薄膜载流子密度来调制来自底层量子发射器的辐射传输的能力。所实现的开/关切换比例受材料损耗参数的制约，尤其是在 ENZ regime 中，由于传输率随材料损耗的增加而提高。真实材料中的有限损耗限制了理想近零折射率系统的更惊人潜力。结合对材料参数及其背后物理学的深入讨论，本工作为克服真实材料有限损耗的局限性提供了途径。这些发现旨在指导材料开发，并为设计在近红外波段内工作的芯上光调制器和波束定向器提供了宝贵的见解。
引用
@article{arxiv.2503.05670,
title = {Leveraging Epsilon Near Zero phenomena for on-chip photonic modulation},
author = {Arun Mambra and Ravi Pant and Joy Mitra},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.05670},
year = {2026}
}
备注
21 pages, 23 figures