DyB2C2中的晶格畸变与共振 X 射线散射

我们研究了 DyB$_2$C$_2$在四极矩有序相中 Dy $L_{\rm III}$ 吸收边共振 X 射线散射（RXS）谱。通过分析 B 和 C 原子层的扭曲，我们构建了一个有效模型，其中晶体场作用于具有不同子晶格主轴的 $5d$ 和 $4f$ 状态。将 $5d$ 状态视为能带，将 $4f$ 状态视为局域态，我们在偶极跃迁中计算了谱。我们考虑了两种过程：(1) 晶格畸变直接调制 $5d$ 状态；(2) 四极矩有序 $4f$ 状态的电荷各向异性通过 $5d$-$4f$ 库仑相互作用调制 $5d$ 状态。两种过程都导致 $(00\frac{\ell}{2})$ 和 $(h0\frac{\ell}{2})$ 位置的 RXS 强度。两种过程给出相似的光子能依赖性和相同的方位角依赖性（主峰），与实验一致。在较宽的晶体场参数范围内，第一种过程给出的强度远大于第二种。这表明 RXS 谱的主峰并非四极矩有序的直接反映，而主要由晶格畸变控制。