单圈阶非阿贝尔 Debye 屏蔽质量中的格点伪迹
高能物理 - 格点
2014-11-17 v1
摘要
我们在有限温度和化学势下计算了具有 Wilson 费米子的格点 QCD 中的单圈阶电屏蔽质量，并表明由有限格距引起的格点伪迹导致屏蔽质量相比于连续极限有所增强。我们讨论了对于格点模拟中可实现的不同时间方向格点数的格点，这种增强随温度和化学势变化的幅度。发现大部分增强来自于费米子圈的贡献。
引用
@article{arxiv.hep-lat/9704014,
title = {Lattice Artefacts In The Non-Abelian Debye Screening Mass In One Loop Order},
author = {P. Kaste and H. J. Rothe},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-lat/9704014},
year = {2014}
}
备注
23 pages, 8 figures, LaTeX