YIG/GaAs 异质结构中激光诱导的磁子带隙形成与调控
介观与纳米尺度物理
2023-02-13 v1 应用物理
摘要
我们展示了在由置于铁氧体薄膜上的半导体板构成的磁子晶体（MC）波导中，对自旋波（SW）传输的激光诱导调控。我们考虑了在朝向钇铁石榴石薄膜的 n 型砷化镓板侧表面制作周期性沟槽的双层 MC。为观察激光辐射诱导的磁子带隙出现，利用微波光谱学和布里渊光散射对所制备结构进行了研究。我们对该结构进行了详细的数值研究。我们表明，磁子带隙（频率宽度与位置）的光控与 GaAs 中载流子浓度变化有关。我们将此归因于分层结构中 SW 传输的非互易性。非互易性由 GaAs 板的激光照射引起，源于 SW 诱导的电磁场被光生载流子屏蔽。我们表明，铁氧体-半导体磁子晶体中的 SW 色散、非互易性以及磁子带隙位置和宽度均可通过激光辐射受控调节。我们的结果展示了基于 YIG/GaAs 结构实现磁子学与半导体电子学集成的可能性。
引用
@article{arxiv.2302.05310,
title = {Laser-induced magnonic band gap formation and control in YIG/GaAs heterostructure},
author = {K. Bublikov and M. Mruczkiewicz and E. N. Beginin and M. Tapajna and D. Gregušová and M. Kučera and F. Gucmann and S. Krylov and A. I. Stognij and S. Korchagin and S. A. Nikitov and A. V. Sadovnikov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.05310},
year = {2023}
}