过渡金属二硫属化物/石墨烯异质结构中巨大的邻近效应诱导自旋寿命各向异性
介观与纳米尺度物理
2017-12-01 v1
摘要
范德瓦尔斯异质结构已成为设计新材料和器件的范式，其中可以通过结合单个二维层的性质来定制特定功能。单层过渡金属二硫属化物（TMD）是石墨烯（Gr）的极佳补充，因为 Gr 中高质量的电荷和自旋输运通过邻近效应得到了 TMD 巨大的自旋-轨道耦合的增强。可控的自旋-谷耦合使这些异质结构在自旋电子学和光谷电子学应用中极具吸引力。在本工作中，我们研究了单层 MoSe2/Gr 异质结构中的自旋进动，并观察到一种非传统的、显著的自旋信号调制，显示面外自旋的寿命（40 ps）比面内自旋（3.5 ps）长一个数量级。这一在 TMD/Gr 异质结构中巨大自旋寿命各向异性的演示，是 Gr 中诱导自旋-谷耦合的直接证据，并为操控与 TMD 界面的 Gr 中的自旋动力学提供了一条可行的途径。
引用
@article{arxiv.1708.04067,
title = {Large Proximity-Induced Spin Lifetime Anisotropy in Transition Metal Dichalcogenide/Graphene Heterostructures},
author = {Talieh S. Ghiasi and Josep Ingla-Aynés and Alexey A. Kaverzin and Bart J. van Wees},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.04067},
year = {2017}
}
备注
Main manuscript(6 pages, 3 figures), supplementary info(19 pages, 10 figures)