碳纳米卷轴的大正磁电导

我们在理论上表明，碳纳米卷轴——具有开放端点的螺旋卷绕石墨烯层——可表现出大正磁电导特性。我们指出，当碳纳米卷轴受到数十特斯拉的轴向磁场作用时，其在低载流子密度下的球形电导可提高约 200%。重要的是，我们发现这种正磁电导在不完美的纳米卷轴（具有散乱或轻微的卷轴间错位）中仍然保持，且在存在场内散乱时甚至可以被增强。我们证明，正磁电导源于磁场诱导的零能态模式的出现，这种现象是卷绕几何结构所特有的。我们的结果为曲面石墨烯系统作为显示显著磁阻现象的新型材料平台提供了依据。