双层 WS$_2$ 薄片中的大 g 因子
介观与纳米尺度物理
2019-03-25 v1
摘要
过渡金属硫族化合物的谷由于独特的选择定则，提供了操控自旋的额外平台。通常，磁场中的层内光学跃迁显示出 g 因子约为 的塞曼分裂。本文报道了双层 WS 激子发射分裂所展现的显著谷塞曼效应，其 g 因子值高达 。观测到的大 g 因子源于层间复合，因为导带与价带在不同层中被磁场以相反方向修饰。层间复合由缺陷诱导的 inversion 对称性破缺引起，这在具有反演对称性的理想双层 WS 中理论上不可实现。层间发射的大 g 因子为未来的光学自旋控制与探测提供了潜在益处。
引用
@article{arxiv.1903.09329,
title = {Large g factor in bilayer WS$_2$ flakes},
author = {Sibai Sun and Yang Yu and Jianchen Dang and Kai Peng and Xin Xie and Feilong Song and Chenjiang Qian and Shiyao Wu and Hassan Ali and Jing Tang and Jingnan Yang and Shan Xiao and Shilu Tian and Meng Wang and Xinyan Shan and M. A. Rafiq and Can Wang and Xiulai Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.09329},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 4 figures