输运与几何自旋电流层级产生的大CISS极化

在手性诱导自旋选择性（CISS）中观察到的大自旋极化仍然难以定量解释。在手性分子系统中测量的实验极化通常远大于有机材料中弱微观自旋轨道相互作用所预期的值。我们重新审视了先前为约束在弯曲路径上的电子引入的几何自旋电流，并提出了与通过双链DNA（dsDNA）输运相关的尺度论证。使用代表性dsDNA参数对内在几何自旋电流尺度的估计产生的电流幅度远大于许多CISS实验中测量的输运电流。我们建议，这种层级允许输运被解释为来自底层弯曲自旋电流态的弱泄漏。在这种图像中，大的CISS极化作为预先存在的自旋电流分支的输运选择而出现。