Weyl 反磁体 Cs$_{2}$Co$_{3}$S$_4$ 中大尺寸异常霍尔导电率：密度泛函计算预测

拓扑 Weyl 半导体的识别最近获得了 considerable 注意力。我们报告了关于该化合物（已合成 50 年但鲜有关注）的密度泛函理论计算结果，涉及磁性、电子结构以及固有异常霍尔导电率。我们发现 Cs$_{2}$Co$_{3}$S$_4$ 是一种具有约 3 $\mu_B$ 每个配方单元总自旋磁矩的反磁半金属。在多数自旋通道中表现出 0.36 eV 的能隙，而在少数自旋通道中表现出准能隙。我们识别出几组低能 Weyl 点并追踪其磁化方向的依赖性。预测的固有异常霍尔导电率可达高达 500 $\Omega^{-1}$cm$^{-1}$，这与其他著名 Weyl 半导体的数值相当。