近场辐射传热的类 Kapitza 调制

我们引入了一种用于近场辐射传热的类 Kapitza 机制，并表明对控制通量的任何参数（如真空间隙或材料响应）进行快速调制，会在缓慢的热力学中产生二次的、时间平均的修正。该修正分为一个与频率无关的静态项和一个低通动态项，产生显著的调制诱导温度偏移和改变的有效热导，这可以稳定或破坏稳态。将该理论应用于 SiC 板之间的间隙调制，我们导出了解析标度律，并预测了完全可用现有实验平台测量的温度偏移，仅需易获得的约 $\Omega \approx 10^4~\mathrm{rad/s}$ 量级的低调制频率。我们的结果确立了 Kapitza 机制的热学类比，并为在微纳尺度平台中控制辐射热流提供了一条通用途径。