SIS 能量下的介子与反介子产生

我们在包含通道 $BB \to K^+YN, \pi B\to K^+Y, BB \to NN K \bar{K}, \pi B\to N K\bar{K}, K^+B\to K^+B, \bar{K} B\to \bar{K}B, Y N\to \bar{K} NN, \pi \pi\to K \bar{K}$ 以及用于反介子吸收的 $\pi Y\to \bar{K}N$ 和 $\bar{K} N\to \pi Y$ 的耦合通道输运方法中，分析了 Ni + Ni 反应在 0.8--1.85 GeV/u 能区的介子和反介子的产生与传播。虽然在不引入介子自能的情况下可以重现 Ni + Ni 碰撞在 0.8 至 1.8 GeV/u 下的实验 $K^+$ 谱，但在 1.66 和 1.85 GeV/u 下 $K^-$ 产额被低估了 5--7 倍。然而，引入 Kaplan 和 Nelson 提出的密度依赖反介子质量后，反介子谱可以得到相当好的描述。