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受磁性杂质影响的二维拓扑绝缘体单边边缘上的 Josephson 结

介观与纳米尺度物理 2019-08-13 v1 超导电性

摘要

我们研究了在二维拓扑绝缘体同一边缘上放置两个 s 波超导体所形成的 Josephson 结中的电流-相位关系。我们考虑了结长度有限且存在磁性杂质的情况。讨论了其与传统 Josephson 结的异同。在半导体图像下计算了电流。研究了 2π2\pi4π4\pi 周期的电流-相位关系(I2π(ϕ),I4π(ϕ)I_{2\pi}(\phi), I_{4\pi}(\phi))。在洁净结中,I2πI_{2\pi}I4πI_{4\pi} 分别在 ϕ=π\phi=\piϕ=2π\phi=2\pi 处出现尖锐跳跃。对于 I2πI_{2\pi},该尖锐跳跃对杂质强度和分布具有鲁棒性。然而对于 I4πI_{4\pi},杂质使 ϕ=2π\phi=2\pi 处的跳跃变得平滑。给出了 I2πI_{2\pi} 的临界(最大)电流,并发现其会因杂质的不对称分布而增大。

关键词

引用

@article{arxiv.1301.5182,
  title  = {Josephson junction on one edge of a two dimensional topological insulator affected by magnetic impurity},
  author = {Shu-feng Zhang and Wei Zhu and Qing-feng Sun},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1301.5182},
  year   = {2019}
}

备注

7 pages, 5 figures